微芯片& # x6C7D& # x8F66& # x78B3& # x5316& # x7845汽车电气化的浪潮正在席卷全球。电动汽车上的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要创新的电源技术,如碳化硅(SiC)。 Chip technology Inc .(美国微芯片技术公司)今天宣布推出最新认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统的设计人员提供满足严格汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项。 微芯片的新器件通过了AEC-Q101认证,可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性,为需要在保持高质量的同时提高系统效率的电动汽车电源设计师实现稳定持久的应用寿命。 这款新器件具有出色的雪崩整流性能,有助于设计人员减少对外部保护电路的需求,降低系统成本和复杂性。 微芯片分立产品业务部副总裁Leon Gross表示:“作为汽车行业的长期供应商,微芯片不断拓展汽车电源解决方案,引领汽车电气化领域的电源系统变革。 我们一直专注于提供汽车解决方案,帮助客户轻松过渡到碳化硅(SiC),同时最大限度地降低质量、供应和支持挑战的风险。 微芯片成为汽车工业的供应商已经超过25年了。 该公司拥有碳化硅(SiC)技术和多家通过IATF 16949:2016认证的制造工厂,可以通过灵活的制造方案提供高质量的组件,帮助将供应链风险降至最低。 通过对微芯片的内部和第三方测试,关键可靠性指标已经证明,与其他制造商生产的SiC器件相比,微芯片器件具有更好的性能。 与其他碳化硅(SiC)器件在极端条件下性能下降不同,微芯片器件性能稳定,有助于延长其应用寿命。 微芯片碳化硅(SiC)解决方案的可靠性和耐用性处于行业领先水平。 耐久性测试表明,非箝位电感开关(UIS)中微芯片的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)的能量承载能力提高了20%,高温下的漏电流水平最低,可延长系统寿命,实现更可靠的运行。 微芯片的SiC汽车电源设备进一步扩展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案组合,并为设计师提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。 微芯片还通过使用最新一代碳化硅(SiC)芯片,提供700、1200和1700V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块的广泛产品组合。 另外,微芯片的dsPIC?数字信号控制器可以提供高性能、低功耗和灵活的外设。 微芯片的AgileSwitch系列数字可编程栅极驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的过程。 这些解决方案还可以应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空空航天和国防系统。 通过AEC-Q101认证的开发工具微芯片碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)器件支持SPICE和PLECS仿真模型以及MPLAB?明迪?模拟模拟器 同时还提供了作为功率级一部分的微芯片SBD(1200V,50A)的PLECS参考设计模型,即Vienna三相功率因数校正(PFC)参考设计。 用于微芯片车辆的700和1200V SiC SBD器件(也可用作电源模块的裸芯片)的供应和定价已通过AEC-Q101认证,目前正在接受批量订单。 欲了解更多信息,请联系微芯片销售代表、全球授权经销商或访问微芯片网站。